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10.3969/j.issn.1003-353x.2009.12.015

凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制

引用
介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题.通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm.槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深.因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率.

凸点下金属层、湿法刻蚀、凸点底切、单片机、电镀凸点、刻蚀速率、刻蚀均匀度

34

TN305.7;TN305.96(半导体技术)

国家科技重大专项2009ZX02009

2010-02-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1209-1212

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

34

2009,34(12)

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