300 mm Si片加工及最新发展

摘要：

65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备.在加工方法上,65 nm线宽用300 mm Si片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层.而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀.对目前300 mm Si片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mm Si片加工工艺的发展趋势.

关键词：300 mm Si片、磨削、抛光、清洗

所属期刊栏目：34

分类号：TN305.1(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2008ZX02401

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1153-1156