PECVD淀积Si3N4作为光刻掩膜版的保护膜

摘要：

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命.分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件.实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比.结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上.

关键词：等离子增强化学气相淀积、氮化硅、光刻版、保护膜

所属期刊栏目：34

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2010-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1096-1098