X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究

摘要：

利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260 Ω/□,迁移率最大值达到2 130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压.研制的总栅宽为25.3 mm的四胞内匹配器件X波段输出功率达到141.25 W,线性增益大于12 dB,PAE达到41.4%.

关键词：AlGaN/GaN HEMT、大栅宽、高电压、高输出功率

所属期刊栏目：34

分类号：TN323.4(半导体技术)

在线出版日期：2010-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1082-1084