10.3969/j.issn.1003-353x.2009.11.006
陶瓷基板上的集成微电感模型与制作
对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析.由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值.同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的结构参数完全一致.测试结果表明,两者的电感值L基本相同,然而陶瓷基板上集成微电感Q值的峰值要比Si基板集成微电感高7左右,Si基板上Q值峰值在5 GHz以下,而陶瓷基板集成微电感的Q值峰值在10 GHz左右.
陶瓷基板、集成微电感、Q值、薄膜集成
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TN409(微电子学、集成电路(IC))
国家科技重大专项2009ZX02038
2010-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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