Au纳米晶MIS结构存储性能研究

摘要：

从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径,建立了纳米晶浮栅结构的存储模型,并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响.基于模型计算,分析了纳米晶材料、高k隧穿介质材料及其厚度对纳米晶浮栅结构存储性能的影响.同时,制作了MIS结构(Si/ZrO2/Au Ncs/SiO2/Al)的存储单元,针对该存储单元的电荷存储能力和电荷保持特性进行测试,并对测试结果进行分析.

关键词：非易失性半导体存储器、纳米晶浮栅、高k介质、量子限制效应

所属期刊栏目：34

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2009-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：177-180