外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响

摘要：

综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理.研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等.结果表明,相对于无电场时,适当3强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释.对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率.

关键词：金属诱导横向结晶、电场增强金属诱导横向结晶、扩散、固相反应、晶粒生长、交流电场

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.055;TN304.8(半导体技术)

资助基金：天津市高等学校科技发展基金20060605

在线出版日期：2009-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：107-112