10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.001
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ)
@@ 4 AlGaN/GaN HFET电流崩塌的机理
电流崩塌(图8)是AlGaN/CaN HFET存在的特殊问题也是能否走向实用化的关键问题.图中,Ⅰdsmo和Ⅰdsmf、Vko和Vkf分别代表直流和射频条件下的源漏饱和电流和饱和(膝)电压.
algan、电流崩塌、hfet、和电流
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TN386(半导体技术)
2009-04-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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