10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.010
基于DOE优化设计抛光工艺参数
适宜的抛光工艺参数对Si片表面平整度TTV、TIR、STIR等参数起到至关重要的作用.介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施,指出并说明CMP是一种化学作用和机械作用相结合的技术,给出了其影响因素.利用DOE(design of experiment)实验方法,结合实际生产条件,获得并验证了最优化的生产工艺参数,改善了Si片表面平整度.
化学机械抛光、硅片、实验设计
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TN304(半导体技术)
2008-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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