Cu互连及其关键工艺技术研究现状

摘要：

低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时.Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料.论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现状.对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论.

关键词：铜互连、阻挡层材料、电化学镀铜、化学机械抛光

所属期刊栏目：33

分类号：TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2003CB716201

在线出版日期：2008-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：374-377