10.3969/j.issn.1003-353X.2007.10.007
SiN介质薄膜内应力的实验研究
研究了低压化学气相淀积Sin(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响.讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,通过工艺条件的合理选择逐步优化工艺.
内应力、氮化硅薄膜、低压化学气相淀积
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TN305.055(半导体技术)
2007-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
851-853,870