氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

摘要：

在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响.根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向.

关键词：热磷酸、湿法蚀刻、蚀刻率、氮化硅

所属期刊栏目：32

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市浦江人才计划

在线出版日期：2007-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：847-850