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10.3969/j.issn.1003-353X.2007.10.005

互连铝通孔电迁移特征及其可靠性研究

引用
研究了超大规模集成电路铝互连系统中铝通孔的电迁移失效机理及其可靠性寿命评价技术.试验采用CMOS和BiCMOS两种工艺各3组的铝通孔样品,分别在三个温度、恒定电流的加速条件下试验,以通孔开路为电迁移失效判据,最后得到了在加速条件下互连铝通孔的电迁移寿命,其结果符合标准的威布尔分布,试验准确可行.通过电迁移模型对试验数据进行了拟合,得到了激活能、电流加速因子和温度加速因子,计算出了正常工作条件下通孔电迁移的寿命,完成了对铝通孔电迁移的研究和寿命评价.

通孔、电迁移、可靠性评价、加速寿命

32

TN405.97(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金60371046

2007-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

843-846

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1003-353X

13-1109/TN

32

2007,32(10)

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