用于制备硅LED的太阳能电池技术

摘要：

集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题.制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈.硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长.所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题.采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光.介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术.

关键词：光电子集成电路、硅光发射器件、太阳能电池、钝化发射极、背面点扩散、非晶硅

所属期刊栏目：32

分类号：TN256;TN305(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;天津市应用基础研究项目

在线出版日期：2007-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：829-832