SiC中受主激发态对杂质电离的影响

摘要：

对Al掺杂4H-SiC中激发态对杂质电离的促进作用,与温度和掺杂浓度的关系进行了系统研究.发现促进作用随掺杂浓度的提高而增强,并且温度越高,随掺杂浓度的增加提高得越迅速;促进作用随温度的变化存在一峰值,并且随掺杂浓度的提高,峰值位置逐渐向温度高的方向移动.研究了激发态数目与杂质电离关系,发现当温度或掺杂浓度很低时(T＜200 K或NA＜1.0×1014 cm-3),无需考虑激发态对电离的影响;当温度很高时(＞800 K),只需考虑较少的激发态(一般3个即可),而在其他情况则需考虑的激发态多一些.

关键词：4H-SiC、Al掺杂、电离度、激发态

所属期刊栏目：32

分类号：O472;TN301(半导体物理学)

在线出版日期：2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：685-688,706