一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

摘要：

基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较.

关键词：MOSFET、沟道热噪声、功率谱密度、噪声系数

所属期刊栏目：32

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：669-672,713