(Bi,Yb)4Ti3O12薄膜退火研究

摘要：

采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜.系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响.揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右.

关键词：溶胶-凝胶、BYT铁电薄膜、退火温度、铁电性

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：湖南省科技厅科技项目;湖南省教育厅科学研究项目;湖南省自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2007-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：234-237