10.3969/j.issn.1003-353X.2007.03.013
调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响
利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaN HEMT材料电学性质的影响.发现si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(ns×μ)可以通过si调制掺杂精确控制.当Si掺杂浓度为3×10(18)cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□.尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V·s).分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围.
调制掺杂、AlGaN/GaN、高电子迁移率晶体管、迁移率
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TN3(半导体技术)
国家自然科学基金;河北省自然科学基金;河北省自然科学基金
2007-04-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
230-233