AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究

摘要：

通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响.研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减.当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×10(17)cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%.受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端.该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法.

关键词：铝镓氮、氮化镓、高电子迁移率晶体管、电场、受主陷阱

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60576007

在线出版日期：2007-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：226-229