90 nm NMOS器件TDDB击穿特性研究

摘要：

采用恒定电压应力对90 nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验,深入研究了90 nm情况下TDDB的击穿机理,并对器件寿命进行预测和分析.结果表明,随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型不再适用.本文提出了一个器件寿命的修正模型,并按此模型对NMOS器件寿命进行预测,结果和实际值取得了很好的一致.

关键词：经时击穿、器件寿命、E模型、1/E模型

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划（863计划）

在线出版日期：2007-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：217-219