钝化边沿的制作及其对GalnP/GaAs SHBT 性能的影响

摘要：

利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿.这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层.研发出了带发射极钝化边沿的GalnP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比,结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性,对器件的高频特性无明显影响.

关键词：侧墙、发射极钝化边沿、单异质结双极型晶体管

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2005AA123720

在线出版日期：2007-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：213-216