10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.012
磁控溅射Cu膜的表面形貌演化研究
采用磁控溅射工艺在单晶Si<111>衬底上制备300 nm厚的Cu膜,用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响.结果表明:随着沉积温度、溅射功率及偏压的变化,Cu膜表面粗糙度历经了不同的演化过程.沉积粒子的扩散和晶粒生长之间的竞争决定了薄膜表面演化.
磁控溅射、薄膜、表面形貌
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TN305.8;TB43(半导体技术)
2007-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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