一种高线性度CMOS混频器的设计

摘要：

采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17 dB.

关键词：双平衡混频器、互补金属氧化物半导体工艺、射频集成电路

所属期刊栏目：32

分类号：TN773(基本电子电路)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）51312

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：117-120