GaN体单晶生长技术研究现状

摘要：

回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状.主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提拉法等熔体生长方法.针对每种生长方法,阐述了其生长原理、特点及研究现状.

关键词：氮化镓、体单晶、生长方法、气相外延、升华法、助溶剂法、氨热法

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：国家部委科研项目

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：101-105