高k栅介质材料的研究进展

摘要：

综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展.提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题.

关键词：高k栅介质、SiO2栅介质、等效氧化物

所属期刊栏目：32

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：重庆科技学院科技创新团队建设工程项目CX06-9

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：97-100