选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展

摘要：

Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用.降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致力于研究的内容,本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法、原理、进展情况进行了介绍.

关键词：氮化镓、外延、横向过生长、悬挂式外延生长

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：教育部新世纪优秀人才支持计划E2005000042

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：93-96