利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

摘要：

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件.

关键词：硅-绝缘体、体连接、横向双扩散金属氧化物半导体

所属期刊栏目：31

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金03ZR14109

在线出版日期：2006-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：523-525