晶体中光电子涨落的影响因素

摘要：

针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素.在光电子的衰减阶段,不同的电子陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电子在导带的弛豫时间,使光电子的衰减变缓;而深电子陷阱由于对光电子形成强束缚或作为复合中心加速了光电子的衰减.

关键词：光电子、光吸收激发、热激发、电子陷阱

所属期刊栏目：31

分类号：O731(晶体物理)

在线出版日期：2006-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：520-522