射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征

摘要：

以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜.利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征.结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素.

关键词：射频磁控溅射、ZnO薄膜、气体组分、氮钝化

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.92(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金;广东省江门市科技计划

在线出版日期：2006-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：515-519