硅系太阳电池表面钝化技术比较
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10.3969/j.issn.1003-353X.2006.07.008

硅系太阳电池表面钝化技术比较

引用
通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价.从上述三个方面的比较可以看出,RTO/SiNx堆叠钝化技术在提高硅太阳电池性能上是最优的,具有良好的应用前景.

钝化、少数载流子有效寿命、光谱响应

31

TN305.5(半导体技术)

2006-08-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

506-508

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

31

2006,31(7)

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