10.3969/j.issn.1003-353X.2006.07.006
热丝法CVD生长金刚石薄膜的简化工艺研究
研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值;阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响.在较低压力下用甲烷氢气作碳源在1500~1700℃合成质量较高的金刚石薄膜,在灯丝温度为1300℃时,获得了微观形貌为球状物的薄膜.用扫描电镜、喇曼光谱和X-ray衍射(Cu靶)对结果进行分析.
金刚石薄膜、热丝法化学气相沉积、本底真空、灯丝温度
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TB43(工业通用技术与设备)
2006-08-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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