硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究

摘要：

金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一.最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导.研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过硼、氢离子注入掺杂及退火温度对金刚石薄膜导电特性的影响.

关键词：金刚石、掺杂、离子注入、喇曼光谱

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.3;O474(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;教育部科学技术研究项目

在线出版日期：2006-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：495-497