局域铂掺杂寿命控制快恢复二极管的研究

摘要：

利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术.报告了改变质子注入剂量对二极管反向恢复时间和反向漏电流等参数的影响.结果表明,当辐照剂量较低时,随着辐照剂量的增加,电活性铂浓度不断提高,器件性能不断优化.而辐照剂量增加到一定程度,有效区电活性铂杂质的浓度会趋向饱和,二极管反向恢复时间基本上不再继续减小.

关键词：局域铂掺杂、铂汲取、辐照剂量、快恢复二极管

所属期刊栏目：31

分类号：TN31(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;北京市自然科学基金;北京市教委共建项目

在线出版日期：2006-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：489-492