一种新型低压功率MOSFET结构分析

摘要：

介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构--Trench MOSFET.将其与常规VDMOS通过在结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点.

关键词：垂直双扩散型金属氧化物半导体、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、器件仿真、导通电阻

所属期刊栏目：30

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：宁波市科技攻关计划2004B100017

在线出版日期：2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56