PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

摘要：

对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性.分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件.

关键词：等离子体增强化学汽相淀积、薄介质膜、I-V特性、击穿机理、电学性能

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.054;TN304.055(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金950186

在线出版日期：2004-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-75