10.3969/j.issn.1003-353X.2004.06.022
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性.分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件.
等离子体增强化学汽相淀积、薄介质膜、I-V特性、击穿机理、电学性能
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TN304.054;TN304.055(半导体技术)
广东省自然科学基金950186
2004-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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