MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响

摘要：

在大规模集成电路的制造过程中,MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料.本文介绍了MOCVD TiN厚度对于W填充能力的影响.

关键词：MOCVD TiN、厚度、W、填充能力

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2003-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：29-31