10.3969/j.issn.1003-353X.2003.11.010
一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法
在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度.现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点.本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点.
EFL、线性拟合、RIE、四探针
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TN304(半导体技术)
2003-12-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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