一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法

摘要：

在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度.现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点.本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点.

关键词：EFL、线性拟合、RIE、四探针

所属期刊栏目：28

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2003-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：26-28