大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展

摘要：

集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

关键词：硅片、背面减薄、磨削、IC封装

所属期刊栏目：28

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划（863计划）

在线出版日期：2003-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：33-38,51