GeSi-PMODMOS器件研究

摘要：

在分析PMODMOS结构以及器件物理基础上,重点研究了GeSi沟道中Ge含量分布、超薄栅介质层SiO2和Si帽层厚度等对GeSi-PMODMOS特性的影响.介绍了与GeSi-PMODMOS结构器件相关的超薄栅介质层(PESiO2,LPSiO2)、超浅结工艺和超浅结金属化等重要工艺技术.

关键词：GeSi异质结构、调制掺杂、MODMOS

所属期刊栏目：26

分类号：TN325.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：49-53,58