10.3969/j.issn.1003-353X.2001.09.004
扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器
把锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中,用红光脉冲照射,可以使它的输出信号增强.把灵敏度为K1=3.5,K2=1.02(B=0.3 T)的两个磁阻元件,置于B=0.2 T偏磁系统中,用峰值波长λp=660nm的红光照射,发现输出电压Vout比没有偏磁场存在时增大3 1倍.
磁阻效应、红光LED、光电传感器
26
TP212.13(自动化技术及设备)
广东省自然科学基金;广东省高新技术产业发展基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
12-14