扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器

摘要：

把锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中,用红光脉冲照射,可以使它的输出信号增强.把灵敏度为K1=3.5,K2=1.02(B=0.3 T)的两个磁阻元件,置于B=0.2 T偏磁系统中,用峰值波长λp=660nm的红光照射,发现输出电压Vout比没有偏磁场存在时增大3 1倍.

关键词：磁阻效应、红光LED、光电传感器

所属期刊栏目：26

分类号：TP212.13(自动化技术及设备)

资助基金：广东省自然科学基金;广东省高新技术产业发展基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：12-14