10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.016
MOCVD AlGaInP LED 外延片源气开关程序的研究
详细分析了MOCVDAlGaInPLED外延片中Ⅴ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序,它有利于生长无宽带隙夹层、突变异质结界面的AlGaInPLED外延片。
有机金属化合物汽相淀积、开关程序、宽带隙夹层、延迟效应、记忆效应、突变异质结
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TN304.054;TN383(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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