MOCVD AlGaInP LED 外延片源气开关程序的研究

摘要：

详细分析了MOCVDAlGaInPLED外延片中Ⅴ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有利于生长无宽带隙夹层、突变异质结界面的AlGaInPLED外延片。

关键词：有机金属化合物汽相淀积、开关程序、宽带隙夹层、延迟效应、记忆效应、突变异质结

所属期刊栏目：26

分类号：TN304.054;TN383(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54