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10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.015

基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发

引用
介绍了巨磁电阻(GMR)及隧道磁电阻(TMR)效应,讨论了计算机磁随机存储器(MRAM)的最新应用开发。

磁随机存储器、巨磁电阻、隧道磁电阻

26

TP333.3(计算技术、计算机技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

46-50,64

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

26

2001,26(6)

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