10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.012
GaAs光电导探测器
研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1.6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽(FWHM)进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。
GaAs、探测器、辐照改性
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TL814(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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