GaAs光电导探测器
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.012

GaAs光电导探测器

引用
研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1.6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽(FWHM)进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。

GaAs、探测器、辐照改性

26

TL814(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

37-39

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

26

2001,26(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn