10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.007
电力半导体器件的发展
介绍了电力半导体器件的发展,指出了该器件由高频化走向智能化的发展趋势。本文还展望了不断开拓的电力半导体器件应用领域。
自关断器件、高频化、智能化、直流高压输电HVDC、抑制高次谐波
26
TN335;TN30(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
20-21,24
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.007
自关断器件、高频化、智能化、直流高压输电HVDC、抑制高次谐波
26
TN335;TN30(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
20-21,24
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn