1GHz微波功率MOSFET的研究

摘要：

分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VD MOS器件.验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能.测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说明理论分析准确,工艺过程控制较好.

关键词：微波、垂直双扩散、功率MOS场效应晶体管

所属期刊栏目：25

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：22-24