β-SiC纳米薄膜热导率的数值模拟研究

摘要：

采用非平衡分子动力学的方法,在COMPASS力场下计算了β-SiC纳米薄膜热导率.当其厚度在3.426～6.905 nm范围内变化时,β-SiC薄膜热导率在5.054～9.654 Wm-1 K-1之间;当系统温度在300～1000 K范围内时,其热导率在7.315～8.324 Wm-1 K-1之间.计算结果表明:在选定的薄膜厚度范围内,热导率随薄膜厚度的增加而增加,表现出明显的尺度效应;当系统温度变化时,其热导率也发生改变,但影响较小.

关键词：分子动力学、β-SiC纳米薄膜、热导率、数值模拟

所属期刊栏目：21

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：辽宁省自然科学基金2015020079

在线出版日期：2020-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：23-27