沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响

摘要：

以硝酸锌溶液为电解液,采用电化学沉积方法,在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜.使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征,并研究薄膜的光电性能.结果表明,通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构,沉积电位为-0.75、-0.80、-0.85 V时,制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm,禁带宽度分别为3.12、3.27、3.29 eV,光电流密度分别为1.18、1.07、0.89 μA·cm-2.

关键词：ZnO薄膜、电沉积、沉积电位、禁带宽度、光电性能

所属期刊栏目：37

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51272001,51072001;教育部留学归国人员中央部门专项基金

在线出版日期：2013-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：45-50