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10.3969/j.issn.1000-2162.2008.05.012

2.5 V 19-ppm/℃的带隙基准电压源设计

引用
论文在分析传统带隙基准源的基础上,设计了低电压输出的带隙基准电压源电路.采用Charter 0.35 μm 标准CMOS工艺,并用Mentor Graphics公司的Eldo仿真器对带隙基准电压源电路的电源特性、温度特性进行了仿真.该带隙基准电压源的温度系数为19-ppm/℃,在室温下当电源电压2.0~3.0V时,基准电压源输出电压为(915.4±0.15)mV,功耗小于0.2-mW.

带隙基准、电压源、CMOS、温度系数

32

TN402(微电子学、集成电路(IC))

安徽省教育厅自然科学研究基金重点资助项目2006kj012a

2008-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

41-43

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安徽大学学报(自然科学版)

1000-2162

34-1063/N

32

2008,32(5)

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