10.3969/j.issn.1000-2162.2006.01.010
功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析
讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性,并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来计算,从而可以得出功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析.
功率LDMOS、阈值电压温度系数、高温
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TN386.1(半导体技术)
中国科学院资助项目60276042;安徽省自然科学基金01044104
2006-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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