SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷电性能的影响

摘要：

研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3) +0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻.

关键词：TiO2基压敏陶瓷、压敏电压、非线性系数、电容量、晶粒电阻、半导化

所属期刊栏目：28

分类号：TN304;TN379(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：33-37